观察2012~2013年主要半导体大厂资本支出变化，英特尔与台积电均将较2012年增加半岛·BOB官方网站，三星电子、东芝可望持平，SK海力士将较2012年减少，至于采轻晶圆厂策略的瑞萨电子、德州仪器及意法半导体2013年仍将维持在低资本支出水位。

　　2013年英特尔资本支出将较2012年增加18.2%，达130亿美元，除持续提升22纳米制程占产能比重外，亦将投入18寸晶圆与14、10、7、5纳米等更先进制程研发，以生产效能更佳的处理器。

　　三星电子半导体事业资本支出自2009年仅32亿美元持续增加至2012年123亿美元，已连续3年成长，然2013年预估将小幅减少至120亿美元，其存储器事业投资重点包括持续提升DRAM 28纳米制程占产能比重、续建西安NAND Flash新厂，及推动NAND Flash朝21、16纳米制程迈进，而系统IC事业则将以扩充德州奥斯丁厂产能，及重启韩国华城厂第17产线亿美元，主要将用于布建28、20及16纳米制程产能。日厂东芝2013年资本支出可望持平在20亿美元，主要将用于投入NAND Flash 1y纳米制程研发。

　　SK 海力士资本支出自2009年仅8亿美元持续增加至2012年35亿美元，呈现连续3年成长态势，然2013年预计将减少至26亿美元。2013年SK海力 士不仅将推动其DRAM自35纳米升级至28纳米制程，NAND Flash自27纳米升级21纳米制程，更计划于其晶圆代工产线切入更高阶芯片生产。

　　另外，韩厂三星与SK海力士虽2013年半导体事业资本支出均将较2012年减少，主要用于先进制程产能的布建，但对于透过购并公司以布局半导体相关技术的态度将更加积极，此透露出韩国半导体厂商渐不局限于仅投资在设备或厂房，更重视半导体元件技术布局的完整性。电子厂电路板